SK keyfoundry成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平台,斬獲1200V新品訂單,正式開啟SiC業務全面布局
成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平台…
筑波Cutting-edge Research Park在SEMICON Japan 2025展會引發高度關注,該項目由茨城縣傾力打造,得到全球企業的廣泛支持
日本水戶2026年2月18日 /美通社/ — 2…
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